301

TIP32C, Биполярный транзистор,(=КТ816Г), [TO-220]

Поставка электронных компонентов в Омск

20,00 руб.

x 20,00 = 20,00
Артикул: 1123622 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней20,00руб.18,60руб.18,00руб.17,60руб.16,40руб.16,00руб.15,60руб.14,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней36,20руб.33,20руб.32,60руб.31,80руб.29,60руб.29,00руб.28,20руб.25,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней46,80руб.43,20руб.42,20руб.41,20руб.38,40руб.37,40руб.36,60руб.32,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней24,00руб.22,00руб.21,60руб.21,00руб.19,60руб.19,20руб.18,60руб.16,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней46,20руб.42,60руб.41,60руб.40,60руб.39,40руб.38,00руб.36,00руб.32,40руб.

Характеристики

TIP32C, Биполярный транзистор,(=КТ816Г), [TO-220]The TIP32C is a -100V Silicon Epitaxial Base PNP Power Transistor intended for use in medium power linear and switching applications. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.

• Complementary to the TIP31C
• Well-controlled hFE parameter for increased reliability

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин

25
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

40