16

STB80NF55-06T4, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 55 В, 5 мОм

Поставка электронных компонентов в Омск

320,00 руб.

x 320,00 = 320,00
Артикул: 1135601 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней320,00руб.297,60руб.288,00руб.281,60руб.272,00руб.256,00руб.249,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней601,60руб.553,60руб.544,00руб.531,20руб.512,00руб.483,20руб.470,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней611,20руб.563,20руб.550,40руб.537,60руб.512,00руб.486,40руб.476,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней384,00руб.352,00руб.345,60руб.336,00руб.326,40руб.307,20руб.297,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней556,80руб.512,00руб.499,20руб.489,60руб.473,60руб.444,80руб.432,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней348,80руб.323,20руб.313,60руб.307,20руб.297,60руб.278,40руб.272,00руб.

Характеристики

STB80NF55-06T4, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 55 В, 5 мОм The STB80NF55-06T4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

• Exceptional dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Application oriented characterization
• -55 to 175 C Operating junction temperature

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

300Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

55В
Непрерывный Ток Стока

40А