| ловия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
| IGBT-транзистор инвертора |
| VCES |
напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером |
|
1200 |
В |
| IC |
ток коллектора |
Tc = 25 (70) °C |
52 (40) |
А |
| ICRM |
повторяющийся максимальный ток коллектора |
tимп  1 мс |
70 |
А |
| VGES |
напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером |
|
± 20 |
В |
| Tj |
температура перехода |
|
— 40 … + 150 |
°C |
| Обратный диод инвертора |
| IF |
прямой ток |
Tc = 25 (70) °C |
38 (29) |
A |
| IFRM |
максимальный повторяющийся прямой ток |
tимп 1 мс |
70 |
A |
| Tj |
температура перехода |
|
— 40 … + 150 |
°C |
|
| ItRMS |
действующее значение во включенном состоянии |
для одной силовой клеммы (20A/пружину) |
100 |
A |
| Tstg |
температура хранения |
Top Tstg |
— 40 … + 125 |
°C |
| Visol |
напряжение испытания изоляции |
переменное напряжение, 1 минута |
2500 |
В |
| Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
мин. |
ном. |
макс. |
Единица измерения |
| IGBT-транзистор инвертора |
| VCE(sat) |
напряжение насыщения коллектора-эмиттера |
ICnom = 35 A, Tj = 25 (125) °C |
|
1,7 (2) |
2,1 (2,4) |
В |
| VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE, IC = 1,5 мА |
5 |
5,8 |
6,5 |
В |
| VCE(TO) |
Пороговое напряжение коллектора-эмиттера (статическое) |
Tj = 25 (125) °C |
|
1 (0,9) |
1,2 (1,1) |
В |
| rT |
Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии |
Tj = 25 (125) °C |
|
20 (31) |
26 (37) |
мОм |
| Cies |
Входная емкость при закороченном выходе |
VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц |
|
2,4 |
|
нФ |
| Coes |
выходная емкость при закороченном входе |
VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц |
|
0,5 |
|
нФ |
| Cres |
Обратная передаточная емкость (емкость Миллера) |
VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц |
|
0,3 |
|
нФ |
| Rth(j-s) |
Тепловое сопротивление |
для одного IGBT |
|
0,75 |
|
K/Вт |
|
| td(on) |
длительность задержки включения |
VCC = 300 В, VGE = ± 15В ICnom = 35 A, Tj = 125 °C RGon = RGoff = 15 Ом индуктивная нагрузка |
|
80 |
|
нс |
| tr |
время нарастания |
|
30 |
|
нс |
| td(off) |
длительность задержки выключения |
|
435 |
|
нс |
| tf |
время спада |
|
95 |
|
нс |
| Eon |
рассеиваемая энергия в процессе включения |
|
4.2 |
|
мДж |
| Eoff |
рассеиваемая энергия в процессе выключения |
|
4.4 |
|
мДж |
| Обратный диод инвертора |
| VF = VEC |
прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IFnom = 35 A; Tj = 25 (125) °C |
|
1,8 (1,8) |
2,1 (2,2) |
В |
| V(TO) |
пороговое напряжение |
Tj = 25 (125) °C |
|
1 (0,8) |
1,1 (0,9) |
В |
| rT |
прямое дифференциальное сопротивление |
Tj = 25 (125) °C |
|
23 (31) |
29 (37) |
мОм |
| Rth(j-s) |
Тепловое сопротивление |
для одного диода |
|
1.5 |
|
K/Вт |
|
| IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
IIFnom = 35 A, VR = 300 В VGE = 0В, Tj = 125 °C diF/dt = 1450 A/мкс |
|
43 |
|
A |
| Qrr |
заряд восстановления |
|
7 |
|
мкКл |
| Err |
Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления |
|
3.5 |
|
мДж |
| Датчик температуры |
| Rts |
сопротивление |
3 %, Tr = 25 (100) °C |
|
1000 (1670) |
|
Ом |
| Механические данные |
| Ms |
монтажный вращающий момент |
|
2 |
|
2.5 |
Н · м |
| m |
масса |
|
|
|
65 |
грамм |
- IC — ток коллектора;
|
|
Личный кабинет
Загрузка