19a4777afd3054482e9f09ba0e0c7e26

SISA18ADN-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 38.3 А, 30 В

Поставка электронных компонентов в Омск

53,00 руб.

x 53,00 = 53,00
Артикул: 1135477 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней53,00руб.49,29руб.47,70руб.46,64руб.43,46руб.42,40руб.41,34руб.38,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней95,93руб.87,98руб.86,39руб.84,27руб.78,44руб.76,85руб.74,73руб.67,31руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней124,02руб.114,48руб.111,83руб.109,18руб.101,76руб.99,11руб.96,99руб.86,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней63,60руб.58,30руб.57,24руб.55,65руб.51,94руб.50,88руб.49,29руб.44,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней122,43руб.112,89руб.110,24руб.107,59руб.104,41руб.100,70руб.95,40руб.85,86руб.

Характеристики

SISA18ADN-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 38.3 А, 30 В The SISA18ADN-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC power supply, high current power rails in computing, battery protection, telecom POL and brick applications.

• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150 C Operating temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

PowerPAK 1212
Рассеиваемая Мощность

19.8Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

38.3А