Заполнитель

SIHP6N40D-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 400 В, 0.85 Ом

Поставка электронных компонентов в Омск

58,00 руб.

x 58,00 = 58,00
Артикул: 1135440 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней58,00руб.53,94руб.52,20руб.51,04руб.47,56руб.46,40руб.45,24руб.41,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней104,98руб.96,28руб.94,54руб.92,22руб.85,84руб.84,10руб.81,78руб.73,66руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней135,72руб.125,28руб.122,38руб.119,48руб.111,36руб.108,46руб.106,14руб.95,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней69,60руб.63,80руб.62,64руб.60,90руб.56,84руб.55,68руб.53,94руб.48,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней133,98руб.123,54руб.120,64руб.117,74руб.114,26руб.110,20руб.104,40руб.93,96руб.

Характеристики

SIHP6N40D-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 400 В, 0.85 Ом The SIHP6N40D-GE3 is a 400V N-channel high voltage MOSFET with low area specific on-resistance and low input capacitance. This D series MOSFET is used in displays, server and telecom power supply applications.

• Reduced capacitive switching losses
• High body diode ruggedness
• Optimal efficiency and operation due to simple gate drive circuitry
• Low figure of merit Ron X Qg
• 100% Avalanche rated

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220AB
Рассеиваемая Мощность

104Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

400В
Непрерывный Ток Стока

6А