40524b4b3f13db8e2d802ad60627dad9

RTR030P02TL, МОП-транзистор, низковольтный, P Канал, 3.2 А

Поставка электронных компонентов в Омск

48,00 руб.

x 48,00 = 48,00
Артикул: 1135260 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней48,00руб.44,64руб.43,20руб.42,24руб.39,36руб.38,40руб.37,44руб.34,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней86,88руб.79,68руб.78,24руб.76,32руб.71,04руб.69,60руб.67,68руб.60,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней112,32руб.103,68руб.101,28руб.98,88руб.92,16руб.89,76руб.87,84руб.78,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней57,60руб.52,80руб.51,84руб.50,40руб.47,04руб.46,08руб.44,64руб.40,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней110,88руб.102,24руб.99,84руб.97,44руб.94,56руб.91,20руб.86,40руб.77,76руб.

Характеристики

RTR030P02TL, МОП-транзистор, низковольтный, P Канал, 3.2 А The RTR030P02TL is a P-channel silicon MOSFET offers -20V drain source voltage and ±3A continuous drain current. It is suitable for use in power switching and DC-to-DC converter applications.

• Low ON-resistance
• Built-in G-S protection diode
• Small surface-mount package

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TSMT
Рассеиваемая Мощность

1Вт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-20В
Непрерывный Ток Стока

3.2А