MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А

Поставка электронных компонентов в Омск

3,00 руб.

Артикул: 1123545 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	3,00руб.	2,79руб.	2,70руб.	2,64руб.	2,46руб.	2,40руб.	2,34руб.	2,16руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	5,43руб.	4,98руб.	4,89руб.	4,77руб.	4,44руб.	4,35руб.	4,23руб.	3,81руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	7,02руб.	6,48руб.	6,33руб.	6,18руб.	5,76руб.	5,61руб.	5,49руб.	4,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	3,60руб.	3,30руб.	3,24руб.	3,15руб.	2,94руб.	2,88руб.	2,79руб.	2,52руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	6,93руб.	6,39руб.	6,24руб.	6,09руб.	5,91руб.	5,70руб.	5,40руб.	4,86руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А The MMBT3906LT1G is a PNP silicon Bipolar Transistor, designed for use in linear and switching applications.

• Halogen-free/BFR-free
• AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

Дополнительная информация

Корпус	sot23
Структура	pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.31