HGTP7N60A4, БТИЗ транзистор, 34 А, 2.7 В, 125 Вт, 600 В

Поставка электронных компонентов в Омск

220,00 руб.

Артикул: 1136127 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	220,00руб.	204,60руб.	198,00руб.	193,60руб.	187,00руб.	176,00руб.	171,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	413,60руб.	380,60руб.	374,00руб.	365,20руб.	352,00руб.	332,20руб.	323,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	420,20руб.	387,20руб.	378,40руб.	369,60руб.	352,00руб.	334,40руб.	327,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	264,00руб.	242,00руб.	237,60руб.	231,00руб.	224,40руб.	211,20руб.	204,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	382,80руб.	352,00руб.	343,20руб.	336,60руб.	325,60руб.	305,80руб.	297,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	239,80руб.	222,20руб.	215,60руб.	211,20руб.	204,60руб.	191,40руб.	187,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

HGTP7N60A4, БТИЗ транзистор, 34 А, 2.7 В, 125 Вт, 600 В The HGTP7N60A4 is a SMPS IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. It is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.

• 1.9V @ IC = 7A Low saturation voltage
• 75ns Fall time @ TJ = 125 C
• 125W Total power dissipation @ TC = 25 C

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	600в
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-220AB
Рассеиваемая Мощность	125Вт
DC Ток Коллектора	34А