FQD11P06TM, МОП-транзистор, P Канал, -9.4 А, -60 В, 0.15 Ом

Поставка электронных компонентов в Омск

62,00 руб.

Артикул: 1133995 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	62,00руб.	57,66руб.	55,80руб.	54,56руб.	50,84руб.	49,60руб.	48,36руб.	44,64руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	112,22руб.	102,92руб.	101,06руб.	98,58руб.	91,76руб.	89,90руб.	87,42руб.	78,74руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	145,08руб.	133,92руб.	130,82руб.	127,72руб.	119,04руб.	115,94руб.	113,46руб.	101,68руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	74,40руб.	68,20руб.	66,96руб.	65,10руб.	60,76руб.	59,52руб.	57,66руб.	52,08руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	143,22руб.	132,06руб.	128,96руб.	125,86руб.	122,14руб.	117,80руб.	111,60руб.	100,44руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FQD11P06TM, МОП-транзистор, P Канал, -9.4 А, -60 В, 0.15 Ом Enhancement Mode P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252
Рассеиваемая Мощность	2.5Вт
Полярность Транзистора	P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-60В
Непрерывный Ток Стока	-9.4А