24

Силовой модуль IGBT FP50R12KT4 BOSA1

Поставка электронных компонентов в Омск

7.572,00 руб.

x 7.572,00 = 7.572,00
Артикул: 1086374 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней7.572,00руб.7.041,96руб.6.663,36руб.6.436,20руб.6.209,04руб.6.095,46руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней8.556,36руб.7.723,44руб.7.572,00руб.7.269,12руб.7.041,96руб.6.890,52руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней9.237,84руб.8.329,20руб.8.102,04руб.7.874,88руб.7.420,56руб.6.966,24руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней9.010,68руб.8.102,04руб.7.950,60руб.7.647,72руб.7.344,84руб.6.928,38руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней12.872,40руб.11.585,16руб.11.358,00руб.10.903,68руб.10.525,08руб.9.616,44руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней12.796,68руб.11.509,44руб.11.267,14руб.10.827,96руб.10.449,36руб.9.540,72руб.

Характеристики

IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 50A

Product Category
IGBT Modules
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
3-Phase
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.25 V
Continuous Collector Current at 25 C
50 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Pd — Power Dissipation
280 W
Package Case
Econo 3
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Brand
Infineon Technologies
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Minimum Operating Temperature
— 40 C
Mounting Style
Screw
Factory Pack Quantity
10
Part # Aliases
FP50R12KT4GBOSA1
Unit Weight
10.582189 oz

Дополнительная информация

Бренд

Infineon