142748c6ada97d482d18600fd3ca9185

FDA59N25, МОП-транзистор, N Канал, 59 А, 250 В, 49 мОм, 10 В, 5 В

Поставка электронных компонентов в Омск

310,00 руб.

x 310,00 = 310,00
Артикул: 1133839 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней310,00руб.288,30руб.279,00руб.272,80руб.263,50руб.248,00руб.241,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней582,80руб.536,30руб.527,00руб.514,60руб.496,00руб.468,10руб.455,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней592,10руб.545,60руб.533,20руб.520,80руб.496,00руб.471,20руб.461,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней372,00руб.341,00руб.334,80руб.325,50руб.316,20руб.297,60руб.288,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней539,40руб.496,00руб.483,60руб.474,30руб.458,80руб.430,90руб.418,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней337,90руб.313,10руб.303,80руб.297,60руб.288,30руб.269,70руб.263,50руб.

Характеристики

FDA59N25, МОП-транзистор, N Канал, 59 А, 250 В, 49 мОм, 10 В, 5 ВThe FDA59N25 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

• 63nC Typical low gate charge
• 70pF Typical low Crss
• 100% Avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-3p
Рассеиваемая Мощность

392Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

250в
Непрерывный Ток Стока

59А