Силовой модуль IGBT BSM35GP120

Поставка электронных компонентов в Омск

12.873,00 руб.

Артикул: 1085911 Категории: Модули, Модули силовые IGBT

Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №1	10-12 дней	12.873,00руб.	11.971,89руб.	11.328,24руб.	10.942,05руб.	10.555,86руб.	10.362,77руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №2	7-10 дней	14.546,49руб.	13.130,46руб.	12.873,00руб.	12.358,08руб.	11.971,89руб.	11.714,43руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №3	7-10 дней	15.705,06руб.	14.160,30руб.	13.774,11руб.	13.387,92руб.	12.615,54руб.	11.843,16руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №4	7-10 дней	15.318,87руб.	13.774,11руб.	13.516,65руб.	13.001,73руб.	12.486,81руб.	11.778,80руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №5	5 дней	21.884,10руб.	19.695,69руб.	19.309,50руб.	18.537,12руб.	17.893,47руб.	16.348,71руб.

Наличие	Срок	1шт	10шт	50шт	100шт	1000шт	3000шт
Склад №6	6 дней	21.755,37руб.	19.566,96руб.	19.155,02руб.	18.408,39руб.	17.764,74руб.	16.219,98руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

Модуль BSM35GP120 биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Технические характертстики:

Модуль IGBT

Напряжение коллектор-эмиттер, макс.: 1200 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.4 В

Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 45 A

Ток утечки затвор-эмиттер: 300 нA

Рассеивание мощности: 230 Вт

Рабочая температура: от -40 до + 125 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 В

Дополнительная информация

Бренд	Infineon

Загрузка