321979-1_500

Силовой модуль IGBT BSM25GD120DN2BOSA1

Поставка электронных компонентов в Омск

5.154,00 руб.

x 5.154,00 = 5.154,00
Артикул: 1086050 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней5.154,00руб.4.793,22руб.4.535,52руб.4.380,90руб.4.226,28руб.4.148,97руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней5.824,02руб.5.257,08руб.5.154,00руб.4.947,84руб.4.793,22руб.4.690,14руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней6.287,88руб.5.669,40руб.5.514,78руб.5.360,16руб.5.050,92руб.4.741,68руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней6.133,26руб.5.514,78руб.5.411,70руб.5.205,54руб.4.999,38руб.4.715,91руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней8.761,80руб.7.885,62руб.7.731,00руб.7.421,76руб.7.164,06руб.6.545,58руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней8.710,26руб.7.834,08руб.7.669,15руб.7.370,22руб.7.112,52руб.6.494,04руб.

Характеристики

IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3; Transistor Type:IGBT Module; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:25A; Voltage, Vce Sat Max:3V; Power Dissipation:200W; Case Style:Econopack 2; Termination Type:Solder; Current, Icm Pulsed:50A; Power, Pd:200W; Temperature, Current:80 C; Temperature, Full Power Rating:25 C; Transistors, No. of:6; Voltage, Vce Sat Typ:2.5V; Voltage, Vceo:1200V

Дополнительная информация

Бренд

Infineon