Заполнитель

Транзистор BDW93C, Дарлингтон NPN 100В 12А 80Вт [TO-220]

Поставка электронных компонентов в Омск

30,00 руб.

x 30,00 = 30,00
Артикул: 1123353 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней30,00руб.27,90руб.27,00руб.26,40руб.24,60руб.24,00руб.23,40руб.21,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней54,30руб.49,80руб.48,90руб.47,70руб.44,40руб.43,50руб.42,30руб.38,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней70,20руб.64,80руб.63,30руб.61,80руб.57,60руб.56,10руб.54,90руб.49,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней36,00руб.33,00руб.32,40руб.31,50руб.29,40руб.28,80руб.27,90руб.25,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней69,30руб.63,90руб.62,40руб.60,90руб.59,10руб.57,00руб.54,00руб.48,60руб.

Характеристики

BDW93C, Дарлингтон NPN 100В 12А 80Вт [TO-220]The BDW93C is a 100V Silicon Epitaxial Base NPN Power Transistor in monolithic Darlington configuration. It is intended for use in power linear and switching applications. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.

• Complementary to the BDW94C
• Integrated anti-parallel collector-emitter diode
• Well-controlled hFE parameter for increased reliability

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

npn с darl
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин

750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

80