11

BC817-25LT1G, Транзистор NPN 45В 0.8А 0.31Вт, [SOT-23]

Поставка электронных компонентов в Омск

3,00 руб.

x 3,00 = 3,00
Артикул: 1123222 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней3,00руб.2,79руб.2,70руб.2,64руб.2,46руб.2,40руб.2,34руб.2,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней5,43руб.4,98руб.4,89руб.4,77руб.4,44руб.4,35руб.4,23руб.3,81руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней7,02руб.6,48руб.6,33руб.6,18руб.5,76руб.5,61руб.5,49руб.4,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней3,60руб.3,30руб.3,24руб.3,15руб.2,94руб.2,88руб.2,79руб.2,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней6,93руб.6,39руб.6,24руб.6,09руб.5,91руб.5,70руб.5,40руб.4,86руб.

Характеристики

BC817-25LT1G, Транзистор NPN 45В 0.8А 0.31Вт, [SOT-23]The BC817-25LT1G is a 45V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications, ESD protection, polarity reversal protection, data line protection, inductive load protection and steering logic.

• Halogen-free/BFR-free
• 50V Collector to base voltage (VCBO)
• 5V Emitter to base voltage (VEBO)
• 556 C/W Thermal resistance, junction to ambient

Дополнительная информация

Корпус

sot23
Структура

npn
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин

160
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

0.31