e651ec6831860f2007fbb90ca26743ab

Микросхема 93LC46-B/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Омск

15,68 руб.

x 15,68 = 15,68
Артикул: 1100234 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней15,68руб.14,58руб.14,11руб.13,80руб.12,86руб.12,54руб.12,23руб.11,29руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней28,38руб.26,03руб.25,56руб.24,93руб.23,21руб.22,74руб.22,11руб.19,91руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней36,69руб.33,87руб.33,08руб.32,30руб.30,11руб.29,32руб.28,69руб.25,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней18,82руб.17,25руб.16,93руб.16,46руб.15,37руб.15,05руб.14,58руб.13,17руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней36,22руб.33,40руб.32,61руб.31,83руб.30,89руб.29,79руб.28,22руб.25,40руб.

Характеристики

93LC46-B/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]The 93LC46B/SN is a 1kB MICROWIRE compatible serial Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) with word-selectable devices such as the 93AA46C, 93LC46C or 93C46C are dependent upon external logic levels driving the ORG pin to set word size. The 93C46B device provides dedicated 16-bit communication. Advanced CMOS technology makes this device ideal for low-power, nonvolatile memory applications.

• Low-power CMOS technology
• Self-timed erase/write cycles
• Automatic erase all (ERAL) before write all (WRAL)
• Power ON/OFF data protection circuitry
• Industry standard 3-wire serial I/O
• Device status signal
• Sequential read function
• 1000000 Erase/write cycles
• Data retention >200 years