2

IRF7473PBF, МОП-транзистор, N Канал, 6.9 А, 100 В, 26 мОм

Поставка электронных компонентов в Омск

87,00 руб.

x 87,00 = 87,00
Артикул: 1134326 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней87,00руб.80,91руб.78,30руб.76,56руб.71,34руб.69,60руб.67,86руб.62,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней157,47руб.144,42руб.141,81руб.138,33руб.128,76руб.126,15руб.122,67руб.110,49руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней203,58руб.187,92руб.183,57руб.179,22руб.167,04руб.162,69руб.159,21руб.142,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней104,40руб.95,70руб.93,96руб.91,35руб.85,26руб.83,52руб.80,91руб.73,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней200,97руб.185,31руб.180,96руб.176,61руб.171,39руб.165,30руб.156,60руб.140,94руб.

Характеристики

IRF7473PBF, МОП-транзистор, N Канал, 6.9 А, 100 В, 26 мОм The IRF7473PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for telecom and data-com 24 and 48V input DC-to-DC converter.

• Ultra-low ON-resistance
• High speed switching
• Low gate drive current due to improved gate charge characteristic
• Improved avalanche ruggedness and dynamic dV/dt
• Industry standard pin-out

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2.5Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

6.9А