6a7c94ea5895275f8fe624dbb5dc5035

Микросхема 24LC02B-I/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Омск

14,70 руб.

x 14,70 = 14,70
Артикул: 1100194 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Омск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней14,70руб.13,67руб.13,23руб.12,94руб.12,05руб.11,76руб.11,47руб.10,58руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней26,61руб.24,40руб.23,96руб.23,37руб.21,76руб.21,32руб.20,73руб.18,67руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней34,40руб.31,75руб.31,02руб.30,28руб.28,22руб.27,49руб.26,90руб.24,11руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней17,64руб.16,17руб.15,88руб.15,44руб.14,41руб.14,11руб.13,67руб.12,35руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней33,96руб.31,31руб.30,58руб.29,84руб.28,96руб.27,93руб.26,46руб.23,81руб.

Характеристики

24LC02B-I/SN, Последовательная энергонезависимая память [SO-8]The 24LC02B-I/SN is a 2Kbit serial I2C EEPROM (Electrically Erasable Programmable Memory) in 8 pin SOIC package. The device is organized as one block of 256 x 8bit memory with two wire serial interface. Low voltage design permits operation down to 1.7V with standby and active currents of only 1µA and 1mA respectively. The 24LC02B has a page write capability for up to 8bytes of data.

• Maximum clock frequency is 400KHz
• Supply voltage range from 2.5V to 5.5V
• Low power CMOS technology
• Schmitt trigger inputs for noise suppression
• Output slope control to eliminate ground bounce
• Page write time is typically 3ms
• Self timed erase/write cycle
• Hardware write protect
• More than 1 million erase/write cycles and greater than 200 years data retention
• Operating temperature range -40°C to 85°C